Effects of Si-layer-thickness ratio on UV-light-emission intensity from Si/SiO2 multilayered thin films prepared using radio-frequency sputtering
Effects of Si-layer-thickness ratio on UV-light-emission intensity from Si/SiO2 multilayered thin films prepared using radio-frequency sputtering
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Si层厚比对射频溅射Si/SiO2多层薄膜紫外发光强度的影响
DOI：
10.4236/msa.2015.63025
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and O. Hanaizumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Miura;H. Hoshino;M. Honmi;and O. Hanaizumi
