Subnanometric Si film reactive diffusion on Ni
Subnanometric Si film reactive diffusion on Ni
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Ni 上的亚纳米 Si 薄膜反应扩散
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Bernardini
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Portavoce;B. Lalmi;G. Tréglia;C. Girardeaux;D. Mangelinck;B. Aufray;J. Bernardini
使用原位超高真空俄歇电子能谱 (AES) 研究了 3-5 Si ML 在 Ni 上的溶解。 AES 信号显示溶解过程中的延迟和动力学变化。这些观察结果与原子动力学蒙特卡罗模拟相结合，考虑到面心立方镍硅非规则固溶体，表明 AES 信号应对应于低温下镍硅相图中存在的镍硅化物的连续出现，从富硅相开始。
The dissolution of 3–5 Si ML on Ni has been studied using in situ ultrahigh vacuum Auger electron spectroscopy (AES). The AES signal shows delays and kinetic changes in the dissolution process. These observations, combined with atomistic kinetic Monte Carlo simulations, considering an fcc Ni–Si nonregular solid solution, show that the AES signal should correspond to a successive apparition of the Ni-silicides present in the Ni–Si phase diagram at low temperatures, starting with the Si-richer phase.