Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers
Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers
复制标题
绝缘体和隔离图案晶圆上硅表面的原子平坦化
DOI：
10.7567/jjap.54.04da04
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发表时间：
2015
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Katsuhiko Shibusawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tetsuya Goto;Rihito Kuroda;Naoya Akagawa;Tomoyuki Suwa;Akinobu Teramoto;Xiang Li;Toshiki Obara;Daiki Kimoto;Shigetoshi Sugawa;Tadahiro Ohmi;Yutaka Kamata;Yuki Kumagai;and Katsuhiko Shibusawa
