Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN substrate
Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN substrate
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GaN 衬底上外延和离子注入镁掺杂 GaN 近带边发射的室温光致发光寿命
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and A. Uedono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. F. Chichibu;K. Shima;K. Kojima;S. Takashima;K. Ueno;M. Edo;H. Iguchi;T. Narita;K. Kataoka;S. Ishibashi;and A. Uedono
