Fabrication of Indium-Tin-Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Dioxide by Chemical Solution Process
Fabrication of Indium-Tin-Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Dioxide by Chemical Solution Process
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化学溶液法用钇掺杂二氧化铪锆制备氧化铟锡沟道铁电栅薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takaaki Miyasako and Eisuke Tokumitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mohit;Takaaki Miyasako and Eisuke Tokumitsu
