M.Watanabe, W.Saitoh, Y.Aoki, J.Nishiyama: "Epitaxial growth of nanometer-thick CaF_2/CdF_2 heterostructures using partially ionized beam epitaxy" Solid State Electronics. 42巻7-8号. 1627-1630 (1998)
M.Watanabe, W.Saitoh, Y.Aoki, J.Nishiyama: "Epitaxial growth of nanometer-thick CaF_2/CdF_2 heterostructures using partially ionized beam epitaxy" Solid State Electronics. 42巻7-8号. 1627-1630 (1998)
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M.Watanabe、W.Saitoh、Y.Aoki、J.Nishiyama：“使用部分电离束外延生长纳米厚的 CaF_2/CdF_2 异质结构”，第 42 卷，第 7-1630 期。 (1998)
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