光応答性部位の協奏による 高いイオン伝導度スイッチング材料の開発
光応答性部位の協奏による 高いイオン伝導度スイッチング材料の開発
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通过光响应位点的协作开发高离子电导率开关材料
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
青木健太郎 長尾祐樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
水野貴大;村松佳祐;和田宏明;黒田一幸;下嶋敦;青木健太郎 長尾祐樹
