Siナノホールの作製と超臨界CO2によるCu埋め込み(2)
Siナノホールの作製と超臨界CO2によるCu埋め込み(2)
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使用超临界 CO2 制造 Si 纳米孔和 Cu 填充 (2)
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
玉井架
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Yang;D.Wang;H.Nakashima;玉井架
