Song-Bek Che: "Wide bandgap over 3eV and high p-doping BeZnTe grown on InP substrates by molecular beam epitaxy"Journal of Crystal Growth. 214/215巻. 321-324 (2000)
Song-Bek Che: "Wide bandgap over 3eV and high p-doping BeZnTe grown on InP substrates by molecular beam epitaxy"Journal of Crystal Growth. 214/215巻. 321-324 (2000)
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Song-Bek Che：“通过分子束外延在 InP 衬底上生长超过 3eV 的宽带隙和高 p 掺杂 BeZnTe”《晶体生长杂志》第 214/215 卷（2000 年）。
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