Trap characterization in ultra-wide bandgap Al 0.65 Ga 0.4 N/Al 0.4 Ga 0.6 N MOSHFET's with ZrO 2 gate dielectric using optical response and cathodoluminescence
Trap characterization in ultra-wide bandgap Al 0.65 Ga 0.4 N/Al 0.4 Ga 0.6 N MOSHFET's with ZrO 2 gate dielectric using optical response and cathodoluminescence
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使用光学响应和阴极发光对具有 ZrO 2 栅极电介质的超宽带隙 Al 0.65 Ga 0.4 N/Al 0.4 Ga 0.6 N MOSHFET 进行陷阱表征
DOI：
10.1063/1.5125776
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发表时间：
2019
影响因子：
4
通讯作者：
Khan, Asif
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jewel, Mohi Uddin;Alam, Md Didarul;Mollah, Shahab;Hussain, Kamal;Wheeler, Virginia;Eddy, Charles;Gaevski, Mikhail;Simin, Grigory;Chandrashekhar, MVS;Khan, Asif
