Dual-Wavelength Y-Branch DBR Lasers With 100 mW of CW Power Near 2 μm
Dual-Wavelength Y-Branch DBR Lasers With 100 mW of CW Power Near 2 μm
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双波长 Y 分支 DBR 激光器，具有 100 mW 连续功率，接近 2 μm
DOI：
10.1109/lpt.2020.3009663
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发表时间：
2020
影响因子：
2.6
通讯作者：
Belenky, Gregory
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, Jiang;Shterengas, Leon;Stein, Aaron;Kipshidze, Gela;Belyanin, Alexey;Belenky, Gregory
设计、制备了两个窄带（~ 1.6THz和~ 3.3THz）同时发射的带间半导体激光器。器件有源区包含一个非对称隧道耦合双量子阱，两个最低电子子带之间的间隔由隧道势垒的厚度控制。用深或浅腐蚀脊波导制作了V分支六阶分布布拉格反射器器件。深腐蚀脊波导宽度从10 μm增加到20 μm，由于减小了侧壁缺陷复合的相对作用，提高了激光器的阈值和效率。通过浅刻蚀进一步提高了器件的性能参数。在20 °C下，获得了100 mW的连续激光输出，具有稳定的双波长发射光谱。
The interband GaSb-based diode lasers emitting simultaneously in two narrow bands separated by either ~1.6 or ~3.3 THz were designed, fabricated and characterized. The device active region contained one asymmetric tunnel-coupled double quantum well with separation between two lowest electron subbands controlled by thickness of the tunnel barrier. The V-branch 6th order distributed Bragg reflector devices have been fabricated with either deep or shallow etched ridge waveguides. The increase of the deeply etched ridge waveguide width from 10 to 20 μm improved laser threshold and efficiency thanks to reduction of the relative role of the sidewall defect recombination. Further improvement of the device performance parameter was achieved by shallow etching. The shallow etched lasers with stable dual-wavelength emission spectrum generated 100 mW of continuous wave output power at 20 °C.
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