Ion track formation in silicon crystals under C60 ion irradiation with energies ranging from 60 keV to 9 MeV
Ion track formation in silicon crystals under C60 ion irradiation with energies ranging from 60 keV to 9 MeV
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能量范围为 60 keV 至 9 MeV 的 C60 离子辐照下硅晶体中离子径迹的形成
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Amekura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Amekura;K. Narumi;A. Chiba;Y. Hirano;K. Yamada;S. Yamamoto;N. Ishikawa;N. Okubo;Y. Saitoh;H. Amekura
