Myronov, M: "Extremely high room-temperature two-dimensional hole gas mobility in Ge/Si0.33Ge0.67/Si(001)p-type modulation-doped heterostructures"Applied Physics Letters. 80. 3117 (2002)
Myronov, M: "Extremely high room-temperature two-dimensional hole gas mobility in Ge/Si0.33Ge0.67/Si(001)p-type modulation-doped heterostructures"Applied Physics Letters. 80. 3117 (2002)
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Myronov, M：“Ge/Si0.33Ge0.67/Si(001)p 型调制掺杂异质结构中极高的室温二维空穴气体迁移率”应用物理快报。
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