Growth methods for high purity Ge and Ge: Ga homoepitaxy
Growth methods for high purity Ge and Ge: Ga homoepitaxy
复制标题
高纯Ge和Ge:Ga同质外延的生长方法
DOI：
10.1016/0022-0248(93)90486-g
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发表时间：
1993
影响因子：
1.8
通讯作者：
Nancy L. Casey
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Huffman;Nancy L. Casey
