M.Doyama: "Positron Trapping Model in n-Type Semieonductors with Vacancies" Materials Science Forum. 105〜110. 985-988 (1992)
M.Doyama: "Positron Trapping Model in n-Type Semieonductors with Vacancies" Materials Science Forum. 105〜110. 985-988 (1992)
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M. Doyama：“带空位的 n 型半导体中的正电子捕获模型”材料科学论坛 105-110 (1992)。
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