Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique
Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique
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使用时空分辨阴极发光技术研究氢化物气相外延生长的独立式 GaN 衬底中的局部载流子动力学
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. F. Chichibu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Furusawa;Y. Ishikawa;M. Tashiro;K. Hazu;S. Nagao;K. Fujito;A. Uedono;and S. F. Chichibu
