E.Tokumitsu, R.Nakamura and H.Ishiwara: "Nonvolatile memory operations of metal-ferroelecric-insulator-semiconducor (MFIS) FET'S Using PLZT/STO/Si (100) struc-tures" IEEE Electron Device Lett.,. 18・4. 160-164 (1997)
E.Tokumitsu, R.Nakamura and H.Ishiwara: "Nonvolatile memory operations of metal-ferroelecric-insulator-semiconducor (MFIS) FET'S Using PLZT/STO/Si (100) struc-tures" IEEE Electron Device Lett.,. 18・4. 160-164 (1997)
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E.Tokumitsu、R.Nakamura 和 H.Ishiwara：“使用 PLZT/STO/Si (100) 结构的金属-铁电-绝缘体-半导体 (MFIS) FET 的非易失性存储器操作”IEEE Electron Device Lett.,。 4. 160-164（1997）
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