Site-controlled InGaN/GaN single-photon-emitting diode

Site-controlled InGaN/GaN single-photon-emitting diode
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DOI：
10.1063/1.4945984
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发表时间：
2016-02
期刊：
arXiv: Mesoscale and Nanoscale Physics
影响因子：
--
通讯作者：
Lei Zhang;Chu-hsiang Teng;P. Ku;H. Deng
Lei Zhang;Chu-hsiang Teng;P. Ku;H. Deng
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
Lei Zhang;Chu-hsiang Teng;P. Ku;H. Deng

文献摘要

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我们报告单光子发射从电驱动的位置控制的InGaN/GaN量子点，从平面发光二极管结构包含一个InGaN量子阱使用自上而下的方法制造。每个单光子发射二极管的位置、尺寸和高度都通过光刻控制，为芯片级集成提供了极大的灵活性。
We report single-photon emission from electrically driven site-controlled InGaN/GaN quantum dots, fabricated from a planar light-emitting diode structure containing a single InGaN quantum well using a top-down approach. The location, dimension, and height of each single-photon-emitting diode are controlled lithographically, providing great flexibility for chip-scale integration.