蓮沼 英司 他: "Gase-Reaction-Controlled Atomic-Layer-Epitaxy of Silicon" J.Vacuum Science and Technolog y. Vo1.A.16,No.2. (1998)
蓮沼 英司 他: "Gase-Reaction-Controlled Atomic-Layer-Epitaxy of Silicon" J.Vacuum Science and Technolog y. Vo1.A.16,No.2. (1998)
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Eiji Hasunuma 等：“硅的气体反应控制原子层外延”J.Vacuum Science and Technology Vo1.A.16，No.2 (1998)。
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