4層グラフェン/hBNヘテロ構造を用いた量子ドットの電子輸送特性
4層グラフェン/hBNヘテロ構造を用いた量子ドットの電子輸送特性
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使用 4 层石墨烯/六方氮化硼异质结构的量子点的电子传输特性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
羽田野剛司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊藤博仁;加藤拓;岩崎拓哉;渡邊賢司;谷口尚;森山悟士;羽田野剛司
