Valley current generation by electrically induced Berry curvature in double gated bilayer graphene
Valley current generation by electrically induced Berry curvature in double gated bilayer graphene
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双栅双层石墨烯中电感应贝里曲率产生谷电流
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Tarucha
中科院分区：
文献类型：
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作者：
石田章真;伊佐かおる;小林憲太;梅田達也;伊佐正; 飛田秀樹;S. Tarucha
