DIET in highly charged ion interaction with silicon surfaces
DIET in highly charged ion interaction with silicon surfaces
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高电荷离子与硅表面相互作用的 DIET
DOI：
10.1016/j.susc.2005.06.077
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
S. Ohtani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Satoshi Takahashi;K. Nagata;M. Tona;M. Sakurai;N. Nakamura;C. Yamada;S. Ohtani
