T.Suemasu: "Optimum thermal-cleaning condition of GaAs surface with a superior arsenic source : Trisdimethylamino-arsine"J.Crystal Growth. Vol.209, No.2-3. 267-271 (2000)
T.Suemasu: "Optimum thermal-cleaning condition of GaAs surface with a superior arsenic source : Trisdimethylamino-arsine"J.Crystal Growth. Vol.209, No.2-3. 267-271 (2000)
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T.Suemasu：“具有优质砷源的 GaAs 表面的最佳热清洁条件：三二甲氨基胂”J.Crystal Growth。
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