Effect of growth interruption on electron spin relaxation in (110)-oriented GaAs/AlGaAs quantum wells
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生长中断对 (110) 取向 GaAs/AlGaAs 量子阱中电子自旋弛豫的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Satoshi Iba
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Takahashi;F. Hirose;Y. Sato;and H. Kawaguchi;Shinji Koh;揖場聡;黄晋二;Hitoshi Kawaguchi;Hiroshi Fujino;Satoshi Iba
