Helium ion microscope generated nitrogen-vacancy centres in type Ib diamond
Helium ion microscope generated nitrogen-vacancy centres in type Ib diamond
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DOI：
10.1063/1.4862331
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发表时间：
2014-01-20
影响因子：
4
通讯作者：
Donegan, J. F.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
McCloskey, D.;Fox, D.;Donegan, J. F.
我们报告的位置和密度控制的氮空位（NV）中心创建的Ib型金刚石使用局部曝光从氦离子显微镜和随后的退火。空间控制到1 × 10（17）离子/cm（2），金刚石晶格发生显著损伤，导致荧光猝灭和非晶化。这对可以使用该方法创建的NV中心的密度设置了上限。(C)2014 AIP Publishing LLC.
We report on position and density control of nitrogen-vacancy (NV) centres created in type Ib diamond using localised exposure from a helium ion microscope and subsequent annealing. Spatial control to 1 x 10(17) ion/cm(2), significant damage of the diamond lattice occurs resulting in fluorescence quenching and amorphization. This places an upper limit on the density of NV centres that can be created using this method. (C) 2014 AIP Publishing LLC.