E.S.kim: "Control of Ge dots in dimension and position by selective epitaxialgrowth and their optical properties" Appl.Phys.Lett.72(掲載予定). (1998)

E.S.kim: "Control of Ge dots in dimension and position by selective epitaxialgrowth and their optical properties" Appl.Phys.Lett.72(掲載予定). (1998)
复制标题

E.S.kim:“通过选择性外延生长及其光学特性控制 Ge 点的尺寸和位置”Appl.Phys.Lett.72(待出版)。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献