Experimental Study of Single Source-Heterojunction MOS Transistors(SHOTs) for Quasi-Ballistic Regime : Optimization of Source-Hetero Structures and Electron Velocity Characteristics at Low Temperature
Experimental Study of Single Source-Heterojunction MOS Transistors(SHOTs) for Quasi-Ballistic Regime : Optimization of Source-Hetero Structures and Electron Velocity Characteristics at Low Temperature
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准弹道态单源异质结MOS晶体管（SHOT）的实验研究：低温源异质结构和电子速度特性的优化
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mizuno;Y. Moriyama;T. Tezuka;N. Sugiyama;and S. Takagi
