播磨弘、浜本哲也、中島信一: "ラマン散乱によるn型GaNのキャリア濃度、移動度の評価" SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 講演予稿集. 第5巻. 68-68 (1996)
播磨弘、浜本哲也、中島信一: "ラマン散乱によるn型GaNのキャリア濃度、移動度の評価" SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 講演予稿集. 第5巻. 68-68 (1996)
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Hiroshi Harima、Tetsuya Hamamoto、Shinichi Nakajima：“通过拉曼散射评估 n 型 GaN 中的载流子浓度和迁移率”SiC 和相关宽禁带半导体研究组论文集，第 5 卷，68-68 (1996)
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