A.Nakajima: "Chracterization of Atomic-Layer-Deposited Silicon Nitride/SiO_2 Stacked Gate Dielectrics for Highly Reliable p-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors"J. Vac. Sci. & Tech.. B19. 1138-1143 (2001)
A.Nakajima: "Chracterization of Atomic-Layer-Deposited Silicon Nitride/SiO_2 Stacked Gate Dielectrics for Highly Reliable p-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors"J. Vac. Sci. & Tech.. B19. 1138-1143 (2001)
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A.Nakajima：“用于高可靠性 p 金属氧化物半导体场效应晶体管的原子层沉积氮化硅/SiO_2 堆叠栅极电介质的表征”J。
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