Thermal Conductivity and Thermoelectric Figure of Merit of Bi1−xSbx Films With 0 < x ≦ 0.3
Thermal Conductivity and Thermoelectric Figure of Merit of Bi1−xSbx Films With 0 < x ≦ 0.3
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0 < x ≤ 0.3 的 Bi1−xSbx 薄膜的热导率和热电品质因数
DOI:
10.1002/pssb.2221430114
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发表时间:
1987
影响因子:
1.6
通讯作者:
E. Kessler
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
F. Völklein;E. Kessler
The thermal conductivity λ and thermoelectric figure of merit z of Bi1−xSbx films with 0 < x ≦ 0.3 and thicknesses from 30 to 400 nm are measured in the temperature range 80 to 400 K. The lattice thermal conductivity λϱ is determined from the measured total thermal conductivity λ and the calculated charge carrier contribution λe. The results are discussed in the framework of earlier proposed models for the charge carrier and phonon heat transport in polycrystalline films. The Sb-concentrations for maximum z-values of the films are established.
Die Warmeleitfahigkeit λ und die thermoelektrische Effektivitat z von Bi1−xSbx-Schichten mit 0 < x ≦ 0,3 und Schichtdicken von 30 bis 400 nm werden im Temperaturbereich 80 bis 400 K gemessen. Die Gitterwarmeleitfahigkeit λϱ wird aus der gemessenen Warmeleitfahigkeit λ und dem berechneten Ladungstrageranteil λe bestimmt. Die Ergebnisse werden mit fruher vorgeschlagenen Modellen fur den Ladungstrager und Phononen-Warmetransport in polykristallinen Schichten diskutiert. Es ergeben sich Aussagen uber die gunstigsten Sb-Konzentrationen fur moglichst hohe z-Werte der Schichten.