Ground-state properties and the molecular theory of the Curie temperature in the coherent potential approximation of diluted magnetic semiconductors
Ground-state properties and the molecular theory of the Curie temperature in the coherent potential approximation of diluted magnetic semiconductors
复制标题
稀磁半导体相干势近似中的基态性质和居里温度的分子理论
DOI：
10.1088/0953-8984/18/4/027
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Mochena
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. feng;M. Mochena
使用价空穴的自旋 1/2 描述以及局部自旋和载流子之间的近藤耦合，在相干势近似 (CPA) 中研究了基于 GaAs 的 III-V 稀磁半导体 (DMS)。我们计算的基态能量和杂质磁化强度之间的关系表明，铁磁性在低温下总是有利的。对于非常弱的近藤耦合，主体半导体的态密度（DOS）没有太大改变。只有当近藤耦合足够强时，才能在主能带的底部产生杂质能带。利用 Weiss 分子理论，如果空穴密度与 x 成正比，我们预测居里温度与近藤耦合和掺杂浓度 x 呈线性关系。
Using a spin-1/2 description of valence holes and Kondo coupling between local spins and carriers, GaAs-based III–V diluted magnetic semiconductors (DMS) are studied in the coherent potential approximation (CPA). Our calculated relation between ground-state energy and impurity magnetization shows that ferromagnetism is always favourable at low temperatures. For very weak Kondo coupling, the density of states (DOS) of the host semiconductor is not modified much. Impurity bands can be generated at the bottom of the host band only when Kondo coupling is strong enough. Using Weiss molecular theory, we predict a linear relation of Curie temperature with respect to Kondo coupling and doping concentration x if the hole density is proportional to x.
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
SOLID STATE PHYSICS (KOTAI BUTSURI) Vol.38 no.10
影响因子：
--
作者：
Masao Takahashi;Kenn Kubo (in Japanese)
通讯作者：
Kenn Kubo (in Japanese)
In_<1-x>Mn_xAs 薄膜中的超高场空穴回旋共振吸收
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Phys.Rev.B 70
影响因子：
--
作者：
Y.H.Matsuda;J.Kono;Y.Sun;C.J.Stanton;N.Miura;S.Ikeda;Y.Hashimoto;S.Katsumoto;H.Munekata
通讯作者：
H.Munekata