Growth and optical characterizations of InAs quantum dots on InP substrate: towards a 1.55 μm quantum dot laser
Growth and optical characterizations of InAs quantum dots on InP substrate: towards a 1.55 μm quantum dot laser
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InP 衬底上 InAs 量子点的生长和光学特性：面向 1.55 μm 量子点激光器
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)02473-9
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发表时间：
2003
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Loualiche
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Paranthoen;C. Platz;G. Moreau;N. Bertru;O. Dehaese;A. Corre;P. Miska;J. Even;H. Folliot;C. Labbé;G. Patriarche;J. Simon;S. Loualiche
