S.Matsumoto, K.Hisamitsu, M.Tanaka, H.Ueno, et al.: "Validity of Mobility Universality for Scaled Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Down to 100nm Gate Length"Journal of Applied Physics. 92. 5228-5232 (2002)
S.Matsumoto, K.Hisamitsu, M.Tanaka, H.Ueno, et al.: "Validity of Mobility Universality for Scaled Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Down to 100nm Gate Length"Journal of Applied Physics. 92. 5228-5232 (2002)
复制标题
S.Matsumoto、K.Hisamitsu、M.Tanaka、H.Ueno 等人：“低至 100nm 栅极长度的缩放金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率普遍性的有效性”应用物理学杂志。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
