Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source
Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source
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使用等离子体激发氮源进行 GaN 温控原子层沉积
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Fumihiko Hirose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P.Pungboon Pansila;Kensaku Kanomata;Bashir Ahammad;Shigeru Kubota;Fumihiko Hirose
