ストライプ加工GaAs(100)基板InAs量子ドット形成の基板方位依存性
ストライプ加工GaAs(100)基板InAs量子ドット形成の基板方位依存性
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条纹 GaAs(100) 衬底上 InAs 量子点形成的衬底取向依赖性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宇高 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
utaka;et al.;Utaka et al.;宇高 他
