Mapping of contactless photoelectrochemical etched GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy?difference in electrolytes
Mapping of contactless photoelectrochemical etched GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy?difference in electrolytes
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使用扫描内部光电子显微镜绘制非接触式光电化学蚀刻 GaN 肖特基触点图？电解质差异
DOI：
10.35848/1347-4065/ac4c6e
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发表时间：
2022
影响因子：
1.5
通讯作者：
Mishima Tomoyoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shiojima Kenji;Matsuda Ryo;Horikiri Fumimasa;Narita Yoshinobu;Fukuhara Noboru;Mishima Tomoyoshi
