リンを界面に局在化させた4H-SiC MOSデバイスの電気特性と信頼性
リンを界面に局在化させた4H-SiC MOSデバイスの電気特性と信頼性
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界面局域磷4H-SiC MOS器件的电气特性和可靠性
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
冬木隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
赤木剛;矢野裕司;畑山智亮;冬木隆
