Growth and characterization of F-doped α-Ga2O3 thin films with low electrical resistivity
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DOI：
10.1016/j.tsf.2019.04.051
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发表时间：
2019-07
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
S. Morimoto;H. Nishinaka;M. Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Morimoto;H. Nishinaka;M. Yoshimoto
