Valley addressable exciton-polaritons in atomically thin semiconductors
Valley addressable exciton-polaritons in atomically thin semiconductors
复制标题
原子薄半导体中的谷可寻址激子极化激元
DOI：
10.48550/arxiv.1612.05073
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Dufferwiel S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dufferwiel S
影响因子：
56.9
作者：
V. Gates;.. M. L. Ludwig-M.-L.-Ludwig-2273875465;J. A. Hartsuck;T. A. Steitz;H. Muirhead;J. C. Coppola;G. N. Reeke
通讯作者：
V. Gates;.. M. L. Ludwig-M.-L.-Ludwig-2273875465;J. A. Hartsuck;T. A. Steitz;H. Muirhead;J. C. Coppola;G. N. Reeke