Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet
Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet
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(1-101) 面上 InGaN/GaN 量子阱的生长和光学特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N.Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Narita;Y.Honda;M.Yamaguchi;and N.Sawaki
