S.Fujitsu, H.Hasegawa and H.Yanagida: "Oxygen in the Grain Boundary of Semiconducting BaTiO_3" Proc.International Conference on Electrical Components and Materials. 338-342 (1992)
S.Fujitsu, H.Hasegawa and H.Yanagida: "Oxygen in the Grain Boundary of Semiconducting BaTiO_3" Proc.International Conference on Electrical Components and Materials. 338-342 (1992)
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S.Fujitsu、H.Hasekawa 和 H.Yanagida：“半导体 BaTiO_3 晶界中的氧”Proc.国际电气元件和材料会议。
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