Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-S0I MOSFETs
Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-S0I MOSFETs
复制标题
部分和完全耗尽应变 S0I MOSFET 的性能增强
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Sugiyama and S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Numata;T.Irisawa;T.Tezuka;J.Koga;N.Hirashita;K.Usuda;E.Toyoda;Y.Miyamura;A.Tanabe;N.Sugiyama and S.Takagi
影响因子：
4
作者：
S. Eguchi;J. Hoyt;C. Leitz;E. Fitzgerald
通讯作者：
E. Fitzgerald