近接場分光によってInGaNナノ構造の発光機構に迫る
近接場分光によってInGaNナノ構造の発光機構に迫る
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使用近场光谱研究 InGaN 纳米结构的发光机制
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川上養一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金田昭男;船戸充;成川幸男;向井孝志;川上養一
