The origin of variable retention time in DRAM
The origin of variable retention time in DRAM
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DRAM 中可变保留时间的起源
DOI：
10.1109/iedm.2005.1609541
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ren
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuki Mori;K. Ohyu;Kensuke Okonogi;Ren
为了研究DRAM可变保持时间（VRT）的起源，我们使用测试结构，仔细测量DRAM中漏电流的时间依赖性。因此，我们首次发现结漏电流的波动就像随机电报信号。对漏电流波动进行了详细的分析，发现漏电流波动是VRT的根源
To investigate the origin of DRAM variable retention time (VRT), we use test structures and carefully measure the time dependence of leakage current in DRAM. Consequently we find for the first time that the junction leakage current fluctuates just like random telegraph signal. We analyze the leakage current fluctuation in detail and find it the origin of VRT