Direct probing of gate-bias stress effect in organic transistors by electron spin resonance spectroscopy
Direct probing of gate-bias stress effect in organic transistors by electron spin resonance spectroscopy
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通过电子自旋共振光谱直接探测有机晶体管中的栅极偏压应力效应
DOI：
10.7567/apex.8.051603
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Kuroda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Tanaka;E. Sawada;K. Azuma;and S. Kuroda
