V-shaped pits formed at the GaN/AlN interface
V-shaped pits formed at the GaN/AlN interface
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GaN/AlN界面处形成V形凹坑
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2005.10.146
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发表时间：
2006
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. G. Cullis
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Bai;Tao Wang;P. Parbrook;I. Ross;A. G. Cullis
