Effect of N composition on temperature dependence of band gap energies of Ga AsN thin films grown by Chemical Beam Epitaxy
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N 成分对化学束外延生长的 Ga AsN 薄膜带隙能量温度依赖性的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ikari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Yamamoto;K.Kashima;A.Suzuki;H.Suzuki;A.Fukuyama;M.Inagaki;M.Yamaguchi;T.Ikari
