Lowering data retention voltage in static random access memory array by post fabrication self-improvement of cell stability by multiple stress application
Lowering data retention voltage in static random access memory array by post fabrication self-improvement of cell stability by multiple stress application
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通过后制造降低静态随机存取存储器阵列中的数据保留电压通过多重应力应用自我提高单元稳定性
DOI：
10.7567/jjap.57.04fd08
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hiramoto Toshiro
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mizutani Tomoko;Takeuchi Kiyoshi;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro
