1 GHz Pentacene Diode Rectifiers Enabled by Controlled Film Deposition on SAM-Treated Au Anodes
1 GHz Pentacene Diode Rectifiers Enabled by Controlled Film Deposition on SAM-Treated Au Anodes
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DOI：
10.1002/aelm.201500282
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发表时间：
2016-02-01
影响因子：
6.2
通讯作者：
Lee, Changhee
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kang, Chan-mo;Wade, Jessica;Lee, Changhee
具有2，3，4，5，6-五氟苯硫醇涂覆的Au阳极的并五苯二极管在3 V下显示出100 A cm−2的高电流密度，整流比为107。在整流器电路中使用这种二极管允许从1GHz的10 V正弦输入实现3.8 V的输出电压。
Pentacene diodes with 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol-coated Au anodes show high current densities of 100 A cm−2 at 3 V with rectification ratios of 107. Using such diodes in rectifier circuits allows an output voltage of 3.8 V to be achieved from a 10 V sinusoidal input at 1 GHz.