Promoting Low-Voltage Saturation in High-Performance a-InGaZnO Source-Gated Transistors
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DOI：
10.1109/ted.2023.3331668
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发表时间：
2023-11-21
影响因子：
3.1
通讯作者：
Sporea，Radu A.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bestelink，Eva;Niang，Kham M.;Sporea，Radu A.
